Производитель MITSUBISHI ELECTRIC
Тип модуля IGBT
Конструкция диода одиночный транзистор
Обратное напряжение макс. 1,2кВ
Ток коллектора 600А
Электрический монтаж винтами
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Ток коллектора в импульсе 1,2кА
Характеристики полупроводниковых элементов integrated anti-parallel diode
Механический монтаж винтами